公报说，以往使用平面晶体管制造SRAM元件时，半导体厂家通常依靠向元件内注入大量混合物来调节晶体管的特性，从而缩小晶体管的体积。但是，这样的调节方法容易造成晶体管特性参差不齐，从而导致SRAM元件稳定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鳍式场效晶体管，被业界认为可以替代以往的平面晶体管，从而既抑制晶体管特性的参差不齐，又可实现SRAM元件的小型化。
公报说，研究人员依靠新技术，用极其微小的非平面晶体管——鳍式场效晶体管制造出了SRAM元件。此前，世界上最小的SRAM元件的面积为0．274平方微米，新研制出的SRAM元件的面积比前者缩小了超过50％。
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