业界,各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此,市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008~2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现了小幅下跌。然而,进入2010年下半年后,以DRAM为中心、价格呈现出大幅下降的趋势。2011年很有可能再次进入残酷的实力消耗战。技术方面,微细化竞争愈演愈烈,以突破现有

  象征着半导体存储器业界的设备投资出现恢复迹象的,是东芝开工建设NAND闪存新工厂。东芝预定2009年春季开工建设的“Fab5”延期很久之后,终于定于2010年7月开始动工。该工厂为东芝与美国晟碟(SanDisk)对半出资,最快将于2011年夏季投入使用。决定建设该工厂是因为,随着智能手机和平板终端等新应用的出现,预计NAND闪存的需求将长期大幅增长。韩国三星电子及韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)等竞争企业也相继进行了NAND闪存的增产投资。

  NAND闪存的微细化竞争从2010年开始进入了2Xnm工艺。在2Xnm工艺闪存的量产中先行一步的是美国美光科技(Micron Technology)与英特尔的合资企业。尽管两家公司涉足NAND闪存较晚,但通过果断采取微细化战略,目前已经领先于其他公司。三星、海力士以及东芝与晟碟的合资企业紧随其后,也开始量产2Xnm工艺闪存,形成了四分天下的格局。NAND闪存在1Xnm左右工艺中即将达到微细化极限,各公司纷纷开始加速开发“后NAND”。东芝计划在动工建设的Fab5中,在第二期开始量产后NAND。

  2008~2009年,DRAM厂商全部出现大幅亏损,随着供需平衡的改善,2010年上半年出现明显改善。尔必达存储器2010年4~6月的销售额和营业利润均创下了单季度历史最高记录。在这种背景下,各公司开始进行增产。进入2010年下半年后,价格随之转为下降,各厂商的出色业绩开始笼罩上一层阴影。

  目前,DRAM厂商的主战场是个人电脑,今后还将包括智能手机和平板终端。2010年是这一趋势逐渐明确的一年。各厂商均推出了用于这些用途的低功耗DRAM产品。

  DRAM的微细化竞争在2010年进入了3Xnm工艺。量产方面,三星与尔必达存储器已领先于其他公司。针对2Xnm以下的微细化极限,DRAM厂商与NAND闪存厂商一样、开始致力于新存储器的开发。比如,尔必达存储器联手夏普、东京大学及产业技术综合研究所,共同进行Gbit级可变电阻式存储器(ReRAM)的开发。

tags: